NE85633-T1B-R25-A CEL
5.0 / 5.0 - (124 التقييمات)

NE85633-T1B-R25-A

نظرة عامة على المنتج

12973317

رقم الجزء DiGi Electronics

NE85633-T1B-R25-A-DG

المُصنّع

CEL
NE85633-T1B-R25-A

وصف

SAME AS 2SC3356 NPN SILICON AMPL

المخزون

15000 قطع جديدة أصلية في المخزون
RF Transistor NPN 12V 100mA 7GHz 200mW Surface Mount 3-MINIMOLD
ترانزستورات الترددات الراديوية ثنائية القطبية
NE85633-T1B-R25-A بيانات المنتج
الكمية
الحد الأدنى 1

شراء واستفسار

طلب عروض الأسعار

يمكنك تقديم استفسار طلب عرض السعر RFQ مباشرةً على صفحة تفاصيل المنتج أو صفحة طلب عرض السعر. سيقوم فريق المبيعات لدينا بالرد على طلبك خلال 24 ساعة.

وسيلة الدفع

نقدم العديد من طرق الدفع المريحة بما في ذلك باي بال (موصى به للعملاء الجدد)، بطاقات الائتمان، والتحويلات البنكية (T/T) بالدولار الأمريكي، اليورو، الدولار هونج كونج وغيرها.

إشعار هام

بعد أن ترسل طلب التسعيرة، ستتلقى بريداً إلكترونياً في صندوق الوارد لديك يؤكد استلامنا لاستفسارك. إذا لم تتلقَ هذا البريد، فقد يتم تصنيف عنواننا البريدي كرسالة عشوائية. يرجى التحقق من مجلد الرسائل العشوائية وإضافة عنوان بريدنا الإلكتروني [email protected] إلى القائمة البيضاء لديك لضمان استلامك لعرض الأسعار الخاص بنا. نظراً لاحتمالية تقلبات المخزون والأسعار، تحتاج فريق المبيعات لدينا إلى إعادة تأكيد استفسارك أو طلبك وإرسال أي تحديثات إليك عبر البريد الإلكتروني في الوقت المناسب. إذا كان لديك أي أسئلة أخرى أو تحتاج إلى مساعدة إضافية، فلا تتردد في إبلاغنا.

متوفر في المخزون (جميع الأسعار بالدولار الأمريكي)
  • الكمية سعر الهدف إجمالي السعر
  • 3000 1.67 5022.00
  • 9000 1.29 11592.00
  • 15000 1.10 16560.00
أفضل سعر من خلال طلب عرض الأسعار عبر الإنترنت
طلب عرض سعر(يشحن غداً)
الكمية
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

NE85633-T1B-R25-A المواصفات الفنية

فئة ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات الترددات الراديوية ثنائية القطبية

المُصنّع CEL (California Eastern Laboratories)

تعبئة Tape & Reel (TR)

سلسلة -

حالة المنتج Obsolete

نوع الترانزستور NPN

الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى) 12V

التردد - الانتقال 7GHz

رقم الضوضاء (ديسيبل النمط @ f) 1.1dB @ 1GHz

كسب 11.5dB

الطاقة - الحد الأقصى 200mW

كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce 50 @ 20mA, 10V

التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى) 100mA

درجة حرارة التشغيل 150°C (TJ)

نوع التركيب Surface Mount

العبوة / العلبة TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

حزمة جهاز المورد 3-MINIMOLD

مواصفات تقنية ومستندات

مخططات البيانات

تحميل NE85633-T1B-R25-A مواصفات المنتج (PDF)
ورقة بيانات HTML

NE85633-T1B-R25-A-DG

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL) 1 (Unlimited)
حالة الوصول REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8542.31.0000

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
3923-NE85633-T1B-R25-ATR

نماذج بديلة

رقم الجزء
المُصنِّع
الكمية المتاحة
DiGi رقم الجزء
سعر الوحدة
نوع الاستبدال
BFS17NTA
Diodes Incorporated
50831
BFS17NTA-DG
0.11
Similar
BFP540FESDH6327XTSA1
Infineon Technologies
2445
BFP540FESDH6327XTSA1-DG
0.17
Similar
BFR182E6327HTSA1
Infineon Technologies
15050
BFR182E6327HTSA1-DG
0.08
Similar
BFP183WH6327XTSA1
Infineon Technologies
14432
BFP183WH6327XTSA1-DG
0.07
Similar
KSP10BU
Fairchild Semiconductor
75432
KSP10BU-DG
0.04
Similar
شهادة ديجي
ISO 209001_2015
ISO 209001_2015
ISO 14001_2015
ISO 2014001_2015
ISO 45001_2018
ISO 2045001_2018
DUNS REGISTERED
DUNS REGISTERED
Companines Registry
Companines Registry
ASA Certificate
ASA Certificate
UKAS
UKAS
ESD Certificate
ESD Certificate
المنتجات ذات الصلة
مدونات ومشاركات
أحدث التطورات في تكنولوجيا الدوائر المتكاملة: تحليل خمس تقنيات متطورة
Jan 18 2025
التقدم في تكنولوجيا الحث: التطبيقات المبتكرة ل LTCC ومحولات الرنين عالية التردد
Jan 18 2025
حماية الدائرة: التقنيات الرئيسية لضمان سلامة الأنظمة الإلكترونية الصناعية والسيارات
Jan 18 2025