NTMFS011N15MC onsemi
5.0 / 5.0 - (76 التقييمات)

NTMFS011N15MC

نظرة عامة على المنتج

12943410

رقم الجزء DiGi Electronics

NTMFS011N15MC-DG

المُصنّع

onsemi
NTMFS011N15MC

وصف

MOSFET N-CH 150V 10.7A/78A 8PQFN

المخزون

2848 قطع جديدة أصلية في المخزون
N-Channel 150 V 10.7A (Ta), 78A (Tc) 2.7W (Ta), 147W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
NTMFS011N15MC بيانات المنتج
الكمية
الحد الأدنى 1

شراء واستفسار

طلب عروض الأسعار

يمكنك تقديم استفسار طلب عرض السعر RFQ مباشرةً على صفحة تفاصيل المنتج أو صفحة طلب عرض السعر. سيقوم فريق المبيعات لدينا بالرد على طلبك خلال 24 ساعة.

وسيلة الدفع

نقدم العديد من طرق الدفع المريحة بما في ذلك باي بال (موصى به للعملاء الجدد)، بطاقات الائتمان، والتحويلات البنكية (T/T) بالدولار الأمريكي، اليورو، الدولار هونج كونج وغيرها.

إشعار هام

بعد أن ترسل طلب التسعيرة، ستتلقى بريداً إلكترونياً في صندوق الوارد لديك يؤكد استلامنا لاستفسارك. إذا لم تتلقَ هذا البريد، فقد يتم تصنيف عنواننا البريدي كرسالة عشوائية. يرجى التحقق من مجلد الرسائل العشوائية وإضافة عنوان بريدنا الإلكتروني [email protected] إلى القائمة البيضاء لديك لضمان استلامك لعرض الأسعار الخاص بنا. نظراً لاحتمالية تقلبات المخزون والأسعار، تحتاج فريق المبيعات لدينا إلى إعادة تأكيد استفسارك أو طلبك وإرسال أي تحديثات إليك عبر البريد الإلكتروني في الوقت المناسب. إذا كان لديك أي أسئلة أخرى أو تحتاج إلى مساعدة إضافية، فلا تتردد في إبلاغنا.

متوفر في المخزون (جميع الأسعار بالدولار الأمريكي)
  • الكمية سعر الهدف إجمالي السعر
  • 3000 6.56 19691.69
أفضل سعر من خلال طلب عرض الأسعار عبر الإنترنت
طلب عرض سعر(يشحن غداً)
الكمية
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

NTMFS011N15MC المواصفات الفنية

فئة ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع onsemi

تعبئة Tape & Reel (TR)

سلسلة -

حالة المنتج Active

نوع FET N-Channel

التقنية MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss) 150 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية 10.7A (Ta), 78A (Tc)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على) 8V, 10V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs 11.5mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف 4.5V @ 194µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs 46 nC @ 10 V

Vgs (ماكس) ±20V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds 3592 pF @ 75 V

ميزة FET -

تبديد الطاقة (الحد الأقصى) 2.7W (Ta), 147W (Tc)

درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب Surface Mount

حزمة جهاز المورد 8-PQFN (5x6)

العبوة / العلبة 8-PowerTDFN

رقم المنتج الأساسي NTMFS011

مواصفات تقنية ومستندات

مخططات البيانات

تحميل NTMFS011N15MC مواصفات المنتج (PDF)
أوراق البيانات

NTMFS011N15MC
ورقة بيانات HTML

NTMFS011N15MC-DG

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL) 1 (Unlimited)
حالة الوصول REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
488-NTMFS011N15MCDKR
488-NTMFS011N15MCCT
488-NTMFS011N15MCTR
شهادة ديجي
ISO 209001_2015
ISO 209001_2015
ISO 14001_2015
ISO 2014001_2015
ISO 45001_2018
ISO 2045001_2018
DUNS REGISTERED
DUNS REGISTERED
Companines Registry
Companines Registry
ASA Certificate
ASA Certificate
UKAS
UKAS
ESD Certificate
ESD Certificate
المنتجات ذات الصلة
مدونات ومشاركات
أحدث التطورات في تكنولوجيا الدوائر المتكاملة: تحليل خمس تقنيات متطورة
Jan 18 2025
التقدم في تكنولوجيا الحث: التطبيقات المبتكرة ل LTCC ومحولات الرنين عالية التردد
Jan 18 2025
حماية الدائرة: التقنيات الرئيسية لضمان سلامة الأنظمة الإلكترونية الصناعية والسيارات
Jan 18 2025