الوقاية من التقليد والعيوب
فحص التصوير والتغليف
التحقق من الأداء الكهربائي
البريد الإلكتروني للخدمة:
[email protected]
>
TK160F10N1L,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
1000416 قطع جديدة أصلية في المخزون
N-Channel 100 V 160A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount TO-220SM(W)
طلب عرض سعر
(يشحن غداً)
*الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
5.0 / 5.0
- (245 التقييمات)
TK160F10N1L,LQ
نظرة عامة على المنتج
12891217
رقم الجزء DiGi Electronics
TK160F10N1L,LQ-DGالمُصنّع
Toshiba Semiconductor and Storage
TK160F10N1L,LQ
وصف
MOSFET N-CH 100V 160A TO220SMالمخزون
1000416 قطع جديدة أصلية في المخزون
N-Channel 100 V 160A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount TO-220SM(W)
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
شراء واستفسار
الضمان والإرجاع
كيفية الطلب
الشحن والتوصيل
ضمان الجودة
ضمان جودة لمدة 365 يومًا - كل جزء مضمون بالكامل.
استرداد أو استبدال لمدة 90 يومًا - هل هناك أجزاء معطوبة؟ لا داعي للقلق.
مخزون محدود، اطلب الآن - احصل على قطع عالية الجودة بثقة
الشحن العالمي والتغليف الآمن
التوصيل العالمي خلال 3-5 أيام عمل
عبوة مقاومة للكهرباء الساكنة بنسبة 100%
تتبع فوري لكل طلب
دفع آمن ومرن
بطاقة الائتمان، فيزا، ماستركارد، باي بال، ويسترن يونيون، التحويل البنكي (T/T) والمزيد
جميع المدفوعات مشفرة لضمان الأمان
TK160F10N1L,LQ المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات, ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
تعبئة
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
سلسلة
U-MOSVIII-H
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
160A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.4mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
10100 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
375W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
175°C
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-220SM(W)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
TK160F10
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
تحميل TK160F10N1L,LQ مواصفات المنتج (PDF)
أوراق البيانات
TK160F10N1L
ورقة بيانات HTML
TK160F10N1L,LQ-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
264-TK160F10N1L,LQDKR-DG
264-TK160F10N1L,LQCT-DG
264-TK160F10N1LLQCT
264-TK160F10N1LLQTR
264-TK160F10N1LLQDKR
264-TK160F10N1L,LQCT
TK160F10N1LLQ
264-TK160F10N1L,LQDKR
TK160F10N1LLQ-DG
قطع بديلة
رقم الجزء
المُصنِّع
الكمية المتاحة
DiGi رقم الجزء
سعر الوحدة
نوع الاستبدال
TK160F10N1L,LXGQ
Toshiba Semiconductor and Storage
2188
TK160F10N1L,LXGQ-DG
0.8556
Parametric Equivalent
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
迅速な配送と丁寧な梱包に感心しました。安心して取引できます。
Dec 02, 2025
Their after-sales team is knowledgeable, friendly, and always ready to assist with any questions.
Dec 02, 2025
The staff at DiGi Electronics are incredibly welcoming and eager to assist.
Dec 02, 2025
DiGi Electronics consistently delivers reliable products that I can trust for my business needs.
Dec 02, 2025
The packing was minimal yet effective, emphasizing sustainability.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
الأسئلة المتداولة (FAQ)
ما هي الميزات الرئيسية لترانزستور MOSFET من نوع Toshiba TK160F10N1L؟
يعد ترانزستور MOSFET من نوع Toshiba TK160F10N1L من النوع ذو القناة n عالي الأداء، بجهد تصنيف قدره 100 فولت والتيار المستمر للتصريف يصل إلى 160 أمبير، وهو مصمم للتحكم بكفاءة في الطاقة والتبديل في مختلف التطبيقات الإلكترونية.
هل يناسب ترانزستور MOSFET من نوع Toshiba TK160F10N1L بيئات درجات الحرارة المرتفعة؟
نعم، يمكن لهذا الترانزستور العمل عند درجات حرارة تصل إلى 175 درجة مئوية، مما يجعله مناسبًا للتطبيقات ذات الأحمال العالية والتي تتطلب تحمل حراري عالي.
هل يمكن استخدام ترانزستور MOSFET من نوع Toshiba TK160F10N1L مع فولتات تشغيل مختلفة للبوابة؟
نعم، يدعم فولتات تشغيل للبوابة بقيمة 6 فولت و10 فولت، مع سعة Vgs القصوى التي تبلغ ±20 فولت، مما يتيح مرونة في تصميم الدوائر وأنظمة التحكم. كما يتميز بمقاومة Rds(on) منخفضة تصل إلى 2.4 مللي أوم عند تيار 80 أمبير و10 فولت، مما يقلل من خسائر الطاقة أثناء التشغيل.
ما هي خيارات التعبئة وأنواع التركيب لهذا الترانزستور؟
يأتي ترانزستور Toshiba TK160F10N1L في عبوة Tape & Reel (TR) داخل حافظة TO-220SM (D2PAK)، وهو مناسب للتثبيت السطحي وتجميعات الأتمتة عالية الحجم. كما أن العبوة مطابقة لمواصفات RoHS3، مما يجعله صديقًا للبيئة ومناسبًا لعمليات التصنيع الإلكترونية الحديثة.
أين يمكنني شراء ترانزستور Toshiba TK160F10N1L وما هو الدعم بعد البيع المتوفر؟
يتوفر هذا الترانزستور من خلال الموزعين المعتمدين، مع مخزون يزيد عن مليون وحدة جاهزة للشحن. وللحصول على دعم بعد البيع، يمكنك التواصل مع توشيبا أو مع المورد الخاص بك للحصول على الضمان والمساعدة الفنية.
ضمان الجودة (QC)
تضمن DiGi جودة وأصالة كل مكون إلكتروني من خلال فحوصات مهنية واختبارات دفعات، مما يضمن مصدر موثوق، أداء مستقر، والامتثال للمواصفات الفنية، مما يساعد العملاء على تقليل مخاطر سلسلة التوريد واستخدام المكونات بثقة في الإنتاج.
TK160F10N1L,LQ CAD Models
Toshiba Semiconductor and Storage TK160F10N1L,LQ PCB symbols & footprints
productDetail
