SIHB10N40D-GE3 >
SIHB10N40D-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A TO263
1200 قطع جديدة أصلية في المخزون
N-Channel 400 V 10A (Tc) 147W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
طلب عرض سعر (يشحن غداً)
*الكمية
الحد الأدنى 1
SIHB10N40D-GE3 Vishay Siliconix
5.0 / 5.0 - (383 التقييمات)

SIHB10N40D-GE3

نظرة عامة على المنتج

12787055

رقم الجزء DiGi Electronics

SIHB10N40D-GE3-DG

المُصنّع

Vishay Siliconix
SIHB10N40D-GE3

وصف

MOSFET N-CH 400V 10A TO263

المخزون

1200 قطع جديدة أصلية في المخزون
N-Channel 400 V 10A (Tc) 147W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
الكمية
الحد الأدنى 1

شراء واستفسار

ضمان الجودة

ضمان جودة لمدة 365 يومًا - كل جزء مضمون بالكامل.

استرداد أو استبدال لمدة 90 يومًا - هل هناك أجزاء معطوبة؟ لا داعي للقلق.

مخزون محدود، اطلب الآن - احصل على قطع عالية الجودة بثقة

الشحن العالمي والتغليف الآمن

التوصيل العالمي خلال 3-5 أيام عمل

عبوة مقاومة للكهرباء الساكنة بنسبة 100%

تتبع فوري لكل طلب

دفع آمن ومرن

بطاقة الائتمان، فيزا، ماستركارد، باي بال، ويسترن يونيون، التحويل البنكي (T/T) والمزيد

جميع المدفوعات مشفرة لضمان الأمان

متوفر في المخزون (جميع الأسعار بالدولار الأمريكي)
  • الكمية سعر الهدف إجمالي السعر
  • 1 1.7162 1.7162
  • 200 0.6845 136.9000
  • 500 0.6618 330.9000
  • 1000 0.6503 650.3000
أفضل سعر من خلال طلب عرض الأسعار عبر الإنترنت
طلب عرض سعر (يشحن غداً)
* الكمية
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

SIHB10N40D-GE3 المواصفات الفنية

فئة ترانزستورات, ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع Vishay

تعبئة Tube

سلسلة -

حالة المنتج Active

نوع FET N-Channel

التقنية MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss) 400 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية 10A (Tc)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على) 10V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs 600mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف 5V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs 30 nC @ 10 V

Vgs (ماكس) ±30V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds 526 pF @ 100 V

ميزة FET -

تبديد الطاقة (الحد الأقصى) 147W (Tc)

درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب Surface Mount

حزمة جهاز المورد TO-263 (D2PAK)

العبوة / العلبة TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

رقم المنتج الأساسي SIHB10

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

SIHB10N40D

ورقة بيانات HTML

SIHB10N40D-GE3-DG

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

معلومات إضافية

الباقة القياسية
1,000

Reviews

5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
心***店
Dec 02, 2025
5.0
他們充足的庫存令我非常滿意,避免了等待的煩惱。
Muse***pirée
Dec 02, 2025
5.0
J’apprécie particulièrement la rapidité avec laquelle ils traitent et envoient les commandes.
Coba***louds
Dec 02, 2025
5.0
Their quick shipment process minimizes downtime, allowing me to get back to work faster.
Sere***kies
Dec 02, 2025
5.0
DiGi Electronics’ logistics system is well-organized, ensuring fast and accurate deliveries.
Wi***ibe
Dec 02, 2025
5.0
I appreciate the risk-free shopping experience thanks to their reliable and consistent products.
Celes***lPath
Dec 02, 2025
5.0
I appreciate their timely support and quick fulfillment of orders.
Epi***ves
Dec 02, 2025
5.0
Timely shipping and expert support have made DiGi Electronics my preferred supplier for critical components.
Publish Evalution
* Product Rating
(Normal/Preferably/Outstanding, default 5 stars)
* Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.

الأسئلة المتداولة (FAQ)

ما هي الميزات الرئيسية لمختصر موسفيت فيشاي SIHB10N40D-GE3 بنية قناة N؟

يتميز هذا الموسفيت بجهد صرفDrain-to-Source قدره 400 فولت، و تيار صرف مستمر 10 أمبير، ومقاومة Rds On منخفضة تبلغ 600 مللي أوم عند جهد بوابة 10 فولت، مناسب لتطبيقات التبديل ذات الجهد العالي. تم تصميمه بحزمة سطحية من نوع TO-263 ويعمل عبر مدى واسع من درجات الحرارة من -55°C إلى 150°C.

كيف يمكنني استخدام موسفيت فيشاي SIHB10N40D-GE3 في مشاريعي الإلكترونية؟

يعد هذا الموسفيت مثالياً لاستخدامه في عمليات التبديل ذات الجهد العالي، تنظيم مصدر الطاقة، وتحكم بالمحركات. حزمة السطحية نوع TO-263 تسهل دمجه في تصميمات اللوحات الدائرية المطبوعة (PCB)، ويمكنه تحمل استهلاك طاقة يصل إلى 147 واط عند درجة حرارة الالتقاء.

هل يتوافق موسفيت فيشاي SIHB10N40D-GE3 مع جهود قيادة الموسفيت القياسية؟

نعم، تم تصميم هذا الموسفيت ليعمل بشكل كامل عند جهد بوابة 10 فولت، مما يوفر مقاومة Rds On منخفضة وأداء تبديل فعال في تطبيقات الإلكترونيات الطاقة الاعتيادية.

ما هي مزايا استخدام موسفيت فيشاي SIHB10N40D-GE3 مقارنة بالمكونات المماثلة الأخرى؟

تتميز بجهد صرف عالي بين المصدر والمصرف، ومقاومة منخفضة أثناء التشغيل، وقدرة عالية على تبديد الطاقة، مما يجعلها مناسبة لتطبيقات الجهد العالي والتيار العالي، مع ضمان التشغيل الموثوق والكفاءة الطاقية.

ما نوع الضمان أو الدعم المتاح عند شراء موسفيت فيشاي SIHB10N40D-GE3؟

تتوفر لدينا مخزون من موسفيت فيشاي الأصلي مع ضمان جودة موثوق. للحصول على ضمان محدد أو دعم فني، يرجى الاطلاع على سياسات البائع أو التواصل مع خدمة العملاء للحصول على المساعدة.

ضمان الجودة (QC)

تضمن DiGi جودة وأصالة كل مكون إلكتروني من خلال فحوصات مهنية واختبارات دفعات، مما يضمن مصدر موثوق، أداء مستقر، والامتثال للمواصفات الفنية، مما يساعد العملاء على تقليل مخاطر سلسلة التوريد واستخدام المكونات بثقة في الإنتاج.

ضمان الجودة Quality Assurance
الوقاية من التقليد والعيوب

الوقاية من التقليد والعيوب

فحص شامل لتحديد المكونات المزيفة أو المجددة أو المعطوبة، لضمان توصيل قطع أصلية ومتوافقة فقط

فحص التصوير والتغليف

فحص التصوير والتغليف

التحقق من الأداء الكهربائي

التحقق من مظهر المكون، العلامات، رموز التاريخ، سلامة التعبئة، وتناسق الملصقات لضمان التتبعية والتوافق.

تقييم الحياة والموثوقية

شهادة ديجيDiGi
مدونات ومشاركات
SIHB10N40D-GE3 CAD Models
productDetail
Please log in first.
لا توجد لديك حسابات بعد؟ تسجيل