الوقاية من التقليد والعيوب
فحص التصوير والتغليف
التحقق من الأداء الكهربائي
البريد الإلكتروني للخدمة:
[email protected]
>
SIZF906DT-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 60A 8POWERPAIR
2861 قطع جديدة أصلية في المخزون
Mosfet Array 30V 60A (Tc) 38W (Tc), 83W (Tc) Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)
طلب عرض سعر
(يشحن غداً)
*الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
5.0 / 5.0
- (89 التقييمات)
SIZF906DT-T1-GE3
نظرة عامة على المنتج
12786572
رقم الجزء DiGi Electronics
SIZF906DT-T1-GE3-DGالمُصنّع
Vishay Siliconix
SIZF906DT-T1-GE3
وصف
MOSFET 2N-CH 30V 60A 8POWERPAIRالمخزون
2861 قطع جديدة أصلية في المخزون
Mosfet Array 30V 60A (Tc) 38W (Tc), 83W (Tc) Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
شراء واستفسار
الضمان والإرجاع
كيفية الطلب
الشحن والتوصيل
ضمان الجودة
ضمان جودة لمدة 365 يومًا - كل جزء مضمون بالكامل.
استرداد أو استبدال لمدة 90 يومًا - هل هناك أجزاء معطوبة؟ لا داعي للقلق.
مخزون محدود، اطلب الآن - احصل على قطع عالية الجودة بثقة
الشحن العالمي والتغليف الآمن
التوصيل العالمي خلال 3-5 أيام عمل
عبوة مقاومة للكهرباء الساكنة بنسبة 100%
تتبع فوري لكل طلب
دفع آمن ومرن
بطاقة الائتمان، فيزا، ماستركارد، باي بال، ويسترن يونيون، التحويل البنكي (T/T) والمزيد
جميع المدفوعات مشفرة لضمان الأمان
SIZF906DT-T1-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات, ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET® Gen IV
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Half Bridge)
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
60A (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
الطاقة - الحد الأقصى
38W (Tc), 83W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TA)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-PowerWDFN
حزمة جهاز المورد
8-PowerPair® (6x5)
رقم المنتج الأساسي
SIZF906
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
تحميل SIZF906DT-T1-GE3 مواصفات المنتج (PDF)
أوراق البيانات
SiZF906DT
ورقة بيانات HTML
SIZF906DT-T1-GE3-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SIZF906DT-T1-GE3CT
SIZF906DT-T1-GE3CT-DG
SIZF906DT-T1-GE3TR
742-SIZF906DT-T1-GE3TR
742-SIZF906DT-T1-GE3CT
SIZF906DT-T1-GE3TR-DG
742-SIZF906DT-T1-GE3DKR
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
コストを抑えつつも、質の高いサービスを提供してくれる会社です。
Dec 02, 2025
DiGi Electronics’ focus on high-quality, consistent products builds customer trust.
Dec 02, 2025
Their inventory management system is highly efficient, reducing delays and improving workflow.
Dec 02, 2025
The fast load times help me decide on purchases rapidly, making shopping efficient.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
الأسئلة المتداولة (FAQ)
ما هي الميزات الرئيسية لمصفوفة ترانزستورات MOSFET من فيشاي SIZF906DT-T1-GE3؟
تعد مجموعة MOSFET من فيشاي SIZF906DT-T1-GE3 عبارة عن مصفوفة عالية الأداء تحتوي على ترانزستورات من نوع N-Channel، بجهد استنزاف-مصدر يبلغ 30 فولت، والتيار المستمر للتحميل 60 أمبير. تتميز بتقنية TrenchFET® من الجيل الرابع، مقاومة Rds(on منخفضة، وتناسب التطبيق على السطح في مجالات طاقة عالية.
كيف يمكنني استخدام مجموعة MOSFET من فيشاي في مشاريعي الإلكترونية؟
هذه المصفوفة مثالية لمهام التبديل وإدارة الطاقة في الدوائر التي تتطلب تيارًا عاليًا وتشغيلًا فعالًا. تصميمها على السطح يسهل دمجها في تصميمات دوائر مطبوعة مدمجة لمصادر الطاقة، ومحركات، أو دوائر العاكس.
هل تتوافق مجموعة MOSFET من فيشاي مع المكونات والأنظمة الإلكترونية الأخرى؟
نعم، تتوافق مجموعة SIZF906DT-T1-GE3 مع تطبيقات جهد البوابة القياسية عند 10 فولت ويمكن دمجها ضمن أنظمة إلكترونية طاقوية متنوعة. تأكد من أن دائرة التحكم الخاصة بك تتطابق مع مواصفاتها من حيث الجهد والتيار لتحقيق الأداء المثالي.
ما هي مميزات استخدام هذه المصفوفة بدلاً من MOSFETs الفردية؟
استخدام مصفوفة MOSFET مثل SIZF906 يقلل من عدد المكونات ويبسط تصميم الدائرة، كما يوفر أداءً متوازنًا لعدة قنوات تبديل. تصميمها المدمج يعزز الاعتمادية والإدارة الحرارية في تطبيقاتك.
ما نوع الدعم بعد البيع والضمان الذي تقدمه فيشاي لهذه المصفوفة من MOSFET؟
توفر فيشاي دعمًا موثوقًا للعملاء مع ضمانات من المصنع ووجود دعم فني. بالإضافة إلى ذلك، تتوافق المصفوفة مع معايير RoHS3 ومتوفرة في المخزون للتسليم السريع.
ضمان الجودة (QC)
تضمن DiGi جودة وأصالة كل مكون إلكتروني من خلال فحوصات مهنية واختبارات دفعات، مما يضمن مصدر موثوق، أداء مستقر، والامتثال للمواصفات الفنية، مما يساعد العملاء على تقليل مخاطر سلسلة التوريد واستخدام المكونات بثقة في الإنتاج.
SIZF906DT-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIZF906DT-T1-GE3 PCB symbols & footprints
productDetail
